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无息外盘期货配资 三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

2024-12-27 10:20    点击次数:184

无息外盘期货配资 三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

  据报道无息外盘期货配资,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。

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  三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。

  12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。

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责任编辑:刘明亮 无息外盘期货配资



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